今村明博、吉田琢真、小林剛、石井啓之
概要
データセンタ内通信における近距離光ファイバ通信の需要が急速に増加している。これに対応するため,フロントパネル部から基板上の集積回路までの電気配線を光配線に置き換えるCo-Packaged Optics技術の導入が進められており,外部光源として単一モード特性を備えた高出力・高効率半導体レーザが求められている。本研究では,その外部光源向けに1.3 μm帯で動作する高出力・高効率分布帰還型レーザを開発した。開発したレーザは,分布帰還型レーザと半導体光増幅器をモノリシック集積した長さ1.8 mmのチップであり,埋込ヘテロ構造,電界制御層,非対称構造の低/高反射率端面を採用している。直流駆動光出力は,50℃および75℃においてそれぞれ200 mW,400 mW,電力変換効率は75℃において光出力200 mWのとき21%と,高出力特性と高効率特性を両立した。
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